机译:使用TBA和TBP进行InP相关材料的MOCVD生长
机译:InP发射极和GaAs_(1-y)Sb_y之间应变的GaAs隔离层对MOCVD生长的InP / GaAs_(1-y)Sb_y / InP DHBTs的结构性能和电学特性的影响
机译:InP上InAlGaAs MQW结构MOCVD生长的建模和过程控制
机译:LP-MOCVD在低生长温度下改善了InP在干蚀刻台面周围的选择性生长
机译:通过MOCVD生长III-V氮化物材料以用于器件应用(晶体生长)。
机译:InGaAs / InP核壳纳米线的自种MOCVD生长和显着增强的光致发光
机译:新型远程等离子体mOCVD装置中Inp的生长:改善工艺和材料性能的方法
机译:利用碳和锌基层掺杂剂的mOCVD材料生长和优化Inp / InGaas和Inalas / InGaas异质结双极晶体管结构